Καρβίδιο του πυριτίου (SiC).
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα ημιαγωγικό υλικό τρίτης-γενιάς ευρείας-γενιάς που χαρακτηρίζεται από το υψηλό ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης, την υψηλή θερμική αγωγιμότητα, την υψηλή ταχύτητα μετατόπισης κορεσμού ηλεκτρονίων και την εξαιρετική χημική και θερμική σταθερότητα. Χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικά ισχύος, συσκευές RF, ηλεκτρικά οχήματα, επικοινωνία 5G, βιομηχανικά τροφοδοτικά, αεροδιαστημική και άλλους τομείς. Η σκληρή και εύθραυστη φύση του καθιστά την κατεργασία ακριβείας ένα κρίσιμο βήμα για την κατασκευή συσκευών υψηλής απόδοσης-.
Η Hemei Company διαθέτει βαθιά τεχνική τεχνογνωσία στη μηχανική κατεργασία ακριβείας σκληρών και εύθραυστων υλικών. Έχουμε αναπτύξει μια αποτελεσματική και σταθερή διαδικασία στίλβωσης και επιπεδοποίησης ειδικά για υλικά SiC. Αυτή η διαδικασία επιτρέπει την πλήρως ελεγχόμενη μηχανική κατεργασία από την προετοιμασία του υποστρώματος έως το φινίρισμα της επιφάνειας σε επίπεδο συσκευής-, ικανοποιώντας τις αυστηρές απαιτήσεις ποιότητας επιφάνειας για SiC σε εφαρμογές υψηλού-, όπως μονάδες ισχύος και συσκευές ραδιοσυχνοτήτων μικροκυμάτων.
Απαιτήσεις Αίτησης
Οι στόχοι για τη στίλβωση και την επιφανειακή επεξεργασία υλικών SiC περιλαμβάνουν:
Μείωση της τραχύτητας της επιφάνειας (Ra) σε < 0,5 nm.
Επίτευξη επιπεδότητας επιφάνειας (TTV) Μικρότερη ή ίση με 1 μm, με την τοπική επιπεδότητα (LTV) να είναι ανώτερη από αυτήν την τιμή.
Δημιουργία επιφανειών χωρίς γρατσουνιές, μικρο-ρωγμές και υπο-επιφανειακές ζημιές για την κάλυψη των απαιτήσεων ηλεκτρικής απόδοσης σε επίπεδο συσκευής-.
Συμβατότητα με διάφορους πολυτύπους όπως 4H-SiC και 6H-SiC, υποστηρίζοντας την επεξεργασία πλακιδίων από διαμέτρους 4 ιντσών έως 8 ιντσών.
Για την επίτευξη αυτών των στόχων, η διαδικασία της Hemei χρησιμοποιεί προσαρμοσμένα συστήματα συγκόλλησης και διαδικασίες στίλβωσης πολλαπλών{0}}βημάτων, διασφαλίζοντας γεωμετρική ακρίβεια και ακεραιότητα επιφάνειας κατά την επεξεργασία.
Προδιαγραφές Συστήματος
Τα αρθρωτά συστήματα στίλβωσης της Hemei υποστηρίζουν την επεξεργασία γκοφρετών/κρυστάλλων SiC διαφόρων μεγεθών και σχημάτων. Τα βασικά συστήματα περιλαμβάνουν:
HSM-Εξοπλισμός περιτύλιξης σειράς L/LP: Χρησιμοποιείται για την αρχική αφαίρεση υλικού και τον έλεγχο του πάχους.
Συστήματα χημικής μηχανικής στίλβωσης σειράς HSM-Σειράς CMP: Χρησιμοποιούνται για την επίτευξη εξαιρετικά-ομαλών επιφανειών χωρίς ζημιές-.
Βασικά υποσυστήματα:
Ειδική Μονάδα Συγκόλλησης Γκοφρέτας/Κρυστάλλου-(WB).
Εξαρτήματα στίλβωσης ακριβείας σειράς SJ/ASJ.
C-ASJ Drive Head High-Σύστημα στίλβωσης ταχύτητας.
Ροή διαδικασίας
Συγκόλληση και τοποθέτηση: Το δείγμα SiC συνδέεται προσωρινά σε μια πλάκα φορέα χρησιμοποιώντας τη μονάδα συγκόλλησης WB και στη συνέχεια τοποθετείται στο εξάρτημα στίλβωσης.
Ακατέργαστη και ενδιάμεση στίλβωση: Πραγματοποιείται ελεγχόμενη λείανση στον εξοπλισμό HSM-L για την αφαίρεση του στρώματος που επηρεάζεται από τη διαδικασία-.
Fine Polishing: Η τελική στίλβωση πραγματοποιείται χρησιμοποιώντας το σύστημα HSM-CMP. Παράμετροι όπως η πίεση, η ταχύτητα περιστροφής και ο ρυθμός ροής του πολτού προσαρμόζονται σε πραγματικό-χρόνο για να επιτευχθεί ομαλότητα επιφάνειας σε νανο-επίπεδο.
Τυπικά αποτελέσματα
Τραχύτητα επιφάνειας Ra < 0,5 nm.
Διακύμανση ολικού πάχους (TTV) Μικρότερο ή ίσο με 1 μm, Τοπική Διακύμανση Πάχους (LTV) Μικρότερο ή ίσο με 0,3 μm.
Ρυθμός αφαίρεσης υλικού: 0.5 - 2 μm/min (ρυθμιζόμενο).
Κατάλληλο για γκοφρέτες SiC με διάμετρο μικρότερη ή ίση με 8 ίντσες, υποστηρίζοντας κοινούς πολυτύπους όπως 4H/6H-SiC.
Περίληψη
Η Hemei Company παρέχει μια ολοκληρωμένη και αξιόπιστη λύση στίλβωσης και επιπεδοποίησης για υλικά καρβιδίου του πυριτίου. Αυτή η λύση παρέχει σταθερά ποιότητα επιφάνειας σε επίπεδο νανο-και υψηλή ηλεκτρική απόδοση, υποστηρίζοντας έτσι την εκβιομηχάνιση και τη βελτίωση της απόδοσης της συσκευής για το SiC σε πεδία υψηλών-τερμάτων όπως ηλεκτρονικά ισχύος, επικοινωνία ραδιοσυχνοτήτων και οχήματα νέας ενέργειας.
