Σχέδια διαδικασίας περιτύλιξης και στίλβωσης για μονοκρυσταλλικό διαμάντι και πολυκρυσταλλικό διαμάντι

Dec 04, 2025

Αφήστε ένα μήνυμα

Εγγραφο:​​

​1. Εισαγωγή​
Το διαμάντι, γνωστό ως το πιο σκληρό υλικό στη φύση, διαθέτει εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητα, εξαιρετική οπτική διαφάνεια (ειδικά από υπεριώδη έως μακρινά-υπέρυθρα μήκη κύματος), καλή χημική σταθερότητα και εξαιρετικά χαμηλό συντελεστή τριβής. Κατά συνέπεια, έχει αναντικατάστατη αξία εφαρμογής σε βιομηχανικούς και τεχνολογικούς τομείς υψηλού επιπέδου. Το διαμάντι με ένα-κρυστάλλο ή λεπτό-υμένιο χρησιμοποιείται ευρέως σε εργαλεία κοπής, υποστρώματα θερμικής διαχείρισης, οπτικά παράθυρα, απαγωγή θερμότητας για συσκευές υψηλής- ισχύος, κβαντική ανίχνευση και βιοϊατρικό εξοπλισμό.

Η Hemei Company διαθέτει βαθιά τεχνική εξειδίκευση στην επεξεργασία και τη στίλβωση υπερ-σκληρών υλικών. Έχει αναπτύξει μια συστηματική,-διεργασία γυαλίσματος και επεξεργασίας επιφάνειας υψηλής ακρίβειας ειδικά για διαμαντένια υλικά. Αυτή η διαδικασία επιτρέπει τον πλήρη-έλεγχο της διαδικασίας από την ακατέργαστη μηχανική κατεργασία έως το φινίρισμα επιφάνειας νανοκλίμακας, διασφαλίζοντας ότι τα διαμαντένια υλικά πληρούν τις απαιτήσεις για εφαρμογές "βαθμού-συσκευής" ή "οπτικής-βαθμίδας".

3conew1

​2. Απαιτήσεις εφαρμογής​
Οι στόχοι για τη στίλβωση και την επεξεργασία υλικών διαμαντιών περιλαμβάνουν:

Ολική Διακύμανση Πάχους (TTV) ελεγχόμενη εντός ±1,5 μικρομέτρων.

Η τραχύτητα επιφάνειας (Ra) μειώθηκε σε λιγότερο από 1 νανόμετρο.

Επιφάνεια απαλλαγμένη από μικρο-ρωγμές και υπο-επιφανειακές ζημιές, που πληροί τις απαιτήσεις για οπτική επίστρωση ή ενσωμάτωση συσκευής.

Διατήρηση καλής ακεραιότητας κρυστάλλου και ακεραιότητας άκρων.

Για την επίτευξη αυτών των στόχων, η διαδικασία Hemei χρησιμοποιεί έναν συνδυασμό εξειδικευμένων συστημάτων συγκόλλησης, πολλαπλών-επικάλυψης και χημικής μηχανικής στίλβωσης, διασφαλίζοντας γεωμετρική ακρίβεια και ποιότητα επιφάνειας κατά την επεξεργασία.

​3. Προδιαγραφές συστήματος​
Το αρθρωτό σύστημα στίλβωσης της Hemei μπορεί να προσαρμοστεί ευέλικτα σε δείγματα διαμαντιών διαφορετικών μεγεθών και μορφών (συμπεριλαμβανομένων μονοκρύσταλλων, πολυκρυσταλλικών λεπτών μεμβρανών και ακανόνιστων σχημάτων). Το βασικό σύστημα περιλαμβάνει:

​HSM-UHP Series Ultra-Εξοπλισμός περιτύλιξης σκληρού υλικού:​​
Χρησιμοποιείται για τον αρχικό έλεγχο διαμόρφωσης και πάχους του διαμαντιού, εξοπλισμένο με άτρακτο υψηλής ακαμψίας και ειδικές πλάκες με διαμάντια-.

​Ειδικό σύστημα χημικής μηχανικής στίλβωσης (CMP) HSM-DCMP Series Diamond-:​​
Χρησιμοποιείται για την επίτευξη γυαλίσματος εξαιρετικά-ακρίβειας επιφανειών διαμαντιού, ικανή για επιπεδότητα επιφάνειας νανοκλίμακας και χαμηλό-έλεγχο ζημιών.

​Βασικά υποσυστήματα:​​

​Ειδική Μονάδα συγκόλλησης Diamond-(DBU):​​
Παρέχει προσωρινή συγκόλληση υψηλής- αντοχής, χαμηλής- καταπόνησης, προσαρμόσιμη σε δείγματα διαμαντιών διαφορετικού πάχους και σχημάτων.

​D-Σειρά ASJ Υψηλής-Συσκευές στίλβωσης ακαμψίας:​​
Ειδικά σχεδιασμένο για διαμάντι, εξασφαλίζοντας σταθερή σύσφιξη και αποτρέποντας το θρυμματισμό των άκρων.

​Σύστημα στίλβωσης κεφαλής υψηλής ταχύτητας-Drive:​​
Επιτρέπει την ομοιόμορφη αφαίρεση υλικού υπό υψηλή περιστροφική ταχύτητα και πίεση, βελτιώνοντας την απόδοση επεξεργασίας.

​4. Ροή επεξεργασίας​

​4.1 Τοποθέτηση, στερέωση και περιτύλιξη​

​Συγκόλληση:​​ Χρησιμοποιήστε τη μονάδα συγκόλλησης Hemei για να συνδέσετε προσωρινά το δείγμα διαμαντιού σε ένα κεραμικό ή γυάλινο υπόστρωμα. Το σύστημα αντισταθμίζει αυτόματα τις διαφορές πάχους για να εξασφαλίσει τον αρχικό παραλληλισμό.

​Σύσφιξη:​​ Τοποθετήστε το συγκολλημένο συγκρότημα στο τσοκ κενού του εξαρτήματος στίλβωσης της σειράς ASJ.

​Περιτύλιξη:​​ Τοποθετήστε το εξάρτημα πάνω στην πλάκα επικάλυψης του εξοπλισμού HSM. Το σύστημα λειτουργεί σε ταχύτητες έως και 120 σ.α.λ., ενώ παρέχει μια ιλύ μικροσωματιδίων διαμαντιού μέσω ενός συστήματος παροχής υγρού ακριβείας. Αυτό το στάδιο στοχεύει στην ταχεία αφαίρεση του υλικού και τον έλεγχο του συνολικού πάχους και επιπεδότητας.

​4.2 Τοποθέτηση, στερέωση και στίλβωση​

​Μεταφορά και καθαρισμός:​Μετά το τύλιγμα, καθαρίστε το δείγμα και αφαιρέστε το από την πλάκα στήριξης.

​Γυάλισμα ακριβείας:​​

​Επιλογή Α (Οπτική-επιφάνεια βαθμού):​​ Χρησιμοποιήστε το σύστημα Hemei HSM-CMP. Το διαμάντι στερεώνεται απευθείας μέσω μιας ειδικά σχεδιασμένης-κεφαλής γυαλίσματος. Το σύστημα υποστηρίζει-ρύθμιση σε πραγματικό χρόνο πολλαπλών παραμέτρων (πίεση, ταχύτητα περιστροφής, σύνθεση υγρού στίλβωσης κ.λπ.) για την επίτευξη γυαλίσματος χαμηλής-βλάβης, υψηλής-επιπεδότητας.

​Επιλογή Β (Μαζική παραγωγή Υψηλής-Αποτελεσματικότητας):​​ Τοποθετήστε το διαμάντι σε ένα εξάρτημα εξοπλισμένο με ειδική βάση για γυάλισμα υψηλής-ταχύτητας. Κατάλληλο για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή ποιότητα επιφάνειας αλλά όχι απαραίτητα επίπεδα οπτικών-βαθμών.

​5. Αποτελέσματα​
Η χρήση του συστήματος γυαλίσματος Hemei για την επεξεργασία υλικών διαμαντιών αποδίδει μια εξαιρετικά-επιφανειακή κατάσταση υψηλής ποιότητας, έτοιμη για επακόλουθη επίστρωση, συγκόλληση ή κατασκευή συσκευής. Το σύστημα επιτυγχάνει εξαιρετική ακεραιότητα της επιφάνειας ενώ παράλληλα εξασφαλίζει υψηλή απόδοση.

Βελτιστοποιώντας τις παραμέτρους της διαδικασίας (όπως η πίεση, η ταχύτητα περιστροφής και η σύνθεση του υγρού στίλβωσης), η διαδικασία Hemei μπορεί να επιτύχει σταθερό ρυθμό αφαίρεσης υλικού (MRR) 0,8-2 μm/h για το διαμάντι, επιτυγχάνοντας μια βέλτιστη ισορροπία μεταξύ της απόδοσης επεξεργασίας και της ποιότητας της επιφάνειας.

Τα ακόλουθα δεδομένα βασίζονται σε αποτελέσματα που μετρήθηκαν από μια παρτίδα 8 τεμαχίων μονόκρυσταλλων διαμαντιών 10x10 mm² που έχουν υποστεί επεξεργασία στο σύστημα HSM-DCMP:

Παράμετρος

Μετά την περιτύλιξη (Αρχική)

Μετά τη Γυάλισμα (Τελικός)

Προδιαγραφή στόχου

Τραχύτητα επιφάνειας (Ra)

~150 nm

<1 nm

Ra < 2 nm

Συνολική διακύμανση πάχους (TTV)

-

< ±1.2 μm

TTV < ±2 μm

Ρυθμός αφαίρεσης υλικού (MRR)

-

0.8-2 μm/h

-

Ακεραιότητα άκρων

-

Χωρίς θρυμματισμό, χωρίς σπάσιμο άκρων

Περνά οπτική και μικροσκοπική επιθεώρηση

Τα παραπάνω αποτελέσματα παραμέτρων προέρχονται μόνο από το εργαστήριο Hemei Semiconductor (Suzhou).

​Τυπικά αποτελέσματα επεξεργασίας διαμαντιών​

​Τύπος δείγματος:​​ Μονό-κρύσταλλο / Πολυκρυσταλλικό διαμάντι (προσαρμόσιμο μέγεθος)

​Ρυθμός αφαίρεσης υλικού (MRR):​​ 0.8-2 μm/h

​Τελική τιμή Ra:​​ <1 nm

​Επιπεδότητα (TTV):​< ±1,2 μm

​Κατάσταση άκρης:​Άθικτο, άθικτο

Τα παραπάνω αποτελέσματα παραμέτρων προέρχονται μόνο από το εργαστήριο Hemei Semiconductor (Suzhou).

​Περίληψη:​​
Η λύση στίλβωσης που παρέχεται από την Hemei Company για διαμαντένια υλικά ενσωματώνει εξοπλισμό υψηλής{0}ακαμψίας, εξειδικευμένα εξαρτήματα και βελτιστοποίηση διεργασιών. Μπορεί να επιτύχει σταθερά και αναπαραγώγιμα φινίρισμα επιφάνειας νανοκλίμακας και γεωμετρική ακρίβεια σε επίπεδο μικρών-, υποστηρίζοντας σθεναρά τη βιομηχανική εφαρμογή του διαμαντιού σε οπτικά υψηλών-τερμάτων, συσκευές ισχύος, κβαντική τεχνολογία και άλλα πεδία.

Εάν χρειάζεται περαιτέρω προσθήκη συγκεκριμένων μοντέλων εξοπλισμού, συγκρίσεις παραμέτρων διεργασίας ή διαφορές επεξεργασίας για διάφορους τύπους διαμαντιών, μπορώ να συνεχίσω να συμπληρώνω.

420conew1

Αποστολή ερώτησής